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厂商型号

PN200RM 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Transistor General Purpose

内部编号

3-PN200RM

#1

数量:40960
1+¥0.3852
25+¥0.3852
100+¥0.3852
500+¥0.3852
1000+¥0.3082
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PN200RM产品详细规格

文档 Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 20mA, 200mA
电流 - 集电极截止(最大) 50nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 250MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 80@100uA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 250(Min)
封装 Ammo
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 45
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 20mA, 200mA
电流 - 集电极截止(最大) 50nA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 45 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 250 MHz
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益(最小值) 80
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 250 MHz
集电极电流(DC ) 0.5 A
直流电流增益 80

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